Aluminium Nitride Wafer Substraten - Aluminium Nitride Wafer Substraten: De basis voor de productie van halfgeleiders

Aluminium Nitride (AIN) materialen spelen een belangrijke rol in de halfgeleiderindustrie. De overeenkomsten tussen het thermische profiel en dat van silicium maken het een ideale keuze voor wafer-gerelateerde halfgeleiderapplicaties. Innovacera’s Aluminium nitride wafers hebben een hoge betrouwbaarheid van Si-chip en thermische cyclus. Volgens de directe waferbindingstechnologie kunnen gepolijste halfgeleiderwafers zonder lijm aan elkaar worden gebonden. Directe waferbinding vereist een zeer vlak en hoog glad oppervlak (Ra≤0.05um); Innovacera AlN wafersubstraten kunnen aan deze eisen voldoen. Kenmerken - Hoge smeltpunt - Hoge elektrische isolatie - Lage diëlektrische constante - Hogere mechanische sterkte - Superieure corrosieweerstand tegen gesmolten metaal - Thermische en chemische stabiliteit - Hoge thermische geleidbaarheid (170-220w/mk) - Vergelijkbare thermische uitzettingscoëfficiënt als die van silicium (si)